دیتاشیت STP10NK80Z
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
STP10NK80Z
|
| حجم فایل |
69.587
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
17
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
STMicroelectronics STP10NK80Z
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
190W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
72nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
800V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2180pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
9A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.5V@100uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
900mΩ@10V,4.5A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
STMicroelectronics
